Резонансное туннелирование в гетероструктурах графен/нитрид бора/графен, управляемое вращением
26.11.2014 Группа ученых продемонстрировала, как с помощью правильного соотношения кристаллографических ориентаций двух графеновых электродов, разделенных слоем гексагонального нитрида бора в транзисторных устройствах, можно достичь резонансного туннелирования с сохранением электронной энергии, импульса и хиральности.
Показано, как пик резонанса и отрицательная дифференциальная проводимость на характеристике устройства индуцирует радиочастотный колебательный ток, который может быть использован в высокочастотных технологиях.
Схема устройства и его зонная структура.
Характеристики устройства, и цветные контурные схемы зависимостей дифференциальной проводимости от напряжения, при 2К. Синие области на рисунках b,e соответствуют отрицательной дифференциальной проводимости, а слабые резонансы соответствуют переходам из розовых областей в красные.
Twist-controlled resonant tunnelling in graphene/boron nitride/graphene heterostructures.
Nature Nanotechnology 9, 808–813 (2014)