Сверхбыстрый перенос заряда в гетероструктурах MoS2/WS2
Авторы работы [1], опубликованной в Nature Nanotechnology, синтезировали пленки MoS2/WS2 атомной толщины. Теория предсказывает, что в подобных двумерных гетероструктурах условия благоприятны для разделения электронов и дырок и преобразования света в электричество. С помощью фотолюминесцентной спектроскопии и фемтосекундной спектроскопии накачки-пробы в структуре MoS2/WS2 наблюдался перенос заряда (дырок) в такой гетероструктуре. Перенос дырки из слоя MoS2 в слой WS2 происходил за 50 фемтосекунд после оптического возбуждения. Такой сверхбыстрый перенос заряда в двумерных структурах открывает новые возможности для оптоэлектроники и фотоэлементов.
Гетероструктура, состоящая из монослоя MoS2 на монослое WS2.
Световой пучок создает электроны e- и дырки h+ в разных слоях.
Источник информации:
- X Hong et al Nature Nanotechnology 9, 682–686 (2014) doi:10.1038/nnano.2014.167
http://www.nature.com/nnano/journal/v9/n9/abs/nnano.2014.167.html