Новые барьеры на пути прогресса магнитной записи
Суть магнитной памяти состоит в долговременном сохранении состояния намагниченной определенным образом области материала. Техника магнитной записи, идя по пути уплотнения информации уже «вошла в наномир» - размеры бита сегодня составляют несколько десятков нанометров. Здесь серьезными помехами на пути прогресса магнитной памяти являются различного рода хаотические процессы внутренне присущие наномиру и связанные с тепловыми колебаниями, стирающими информацию. Преодоление этого так называемого «суперпарамагнитного барьера» достигают при использовании материалов с гигантской энергией магнитной анизотропии. Таким материалом, активно используемым на сегодняшний день в индустрии магнитной памяти, является сплав CoPt. Однако нужный химический состав это далеко не все, что требуется для достижения успеха. Необходимо также, чтобы атомы сплава располагались в определенном порядке. Оптимальными свойствами характеризуется только фаза упорядоченного твердого раствора CoPt. Для того чтобы приготовить такую структуру материал подвергают специальной тепловой обработке. При этом конечный результат часто представляет собой композит неупорядоченная основа, содержащая в себе области упорядоченной фазы. Упорядоченные области даже внутри одного нанокристалла оказываются ориентированными в различных направлениях. Это приводит к снижению энергии магнитной анизотропии. В работе физиков СО РАН было экспериментально продемонстрировано, что величина энергии магнитной анизотропии зависит от количества таких областей внутри индивидуального нанокристалла. Эта находка указывает направление работ, позволяющее улучшить характеристики среды для магнитной записи на основе сплавов CoPt.
Магнитная анизотропия нанокристалла СоPt с различной степенью упорядочения.
Источник информации: