Возможность создания электронных устройств на основе двухслойных структур
В работе [APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 112601 (2013)] приведены результаты исследования двухслойной структуры, состоящей из слоев La1.8Sr0.2CuO4 передопированного и недодопированого La1.9Sr0.1CuO4 с одинаковой критической температурой.
Структура создавалась при помощи лазерного напыления и химического травления. Толщина слоев порядка 100 nm. При охлаждении ниже критической температуры структура ведет себя как диод, выпрямляет ток, текущий через границу слоев.
Это происходит из-за того, что слабый положительный ток вызывает миграцию носителей через границу. Контролировать миграцию носителей можно приложенным магнитным полем, при этом меняется сопротивление и критическая температура структуры. На основе обнаруженных эффектов возможно разработать различные электронные устройства.
24.09.2013.