Дешевый полевой транзистор из арсенида галлия на кремниевой подложке
Это позволяет реализовать преимущества III-V полупроводников, их электрические и оптические свойства на платформе кремния. Существующие технологии устройств на базе III-V полупроводников имеют свои недостатки, это низкое качество устройств либо высокая стоимость относительно кремниевой технологии. Авторами статьи предложен способ изготовления InGaAs полевых транзисторов посредством роста слоя InGaAs на подложке кремния с буферным слоем III-V полупроводника вместо роста InGaAs на подложке InP. Такой подход позволяет использовать кремниевые подложки большого размера диаметром 300 мм, что обеспечивает высокое качество получаемых устройств и их низкую стоимость. О высоком качестве полученных транзисторов свидетельствуют значения подвижности электронов, токов утечки и зависимости тока истока от напряжения затвора, а также микроструктурные снимки полученные просвечивающей электронной микроскопией.
Технология прямого соединения подложки для массового производства транзисторов InGaAs на изоляторе.
- ALD - atomic layer deposition
- CMP - chemical-mechanical polishing
- DWB - direct wafer bonding
Микроструктура
Источник информации:
Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors
APPLIED PHYSICS LETTERS 105, 043504 (2014)