Транзистор на основе алмаза
Слой n-типа был выращен на боковых гранях квадратной площадки (мезы). Меза была сформирована методом плазменного вертикального травления алмазной плёнки легированной бором (p-типа), также полученной методом MPCVD:
Сформированные таким образом боковые p/n-переходы позволяют успешно модулировать тока дырочного канала, эффективная ширина которого зависит от ширины области пространственного заряда p/n-перехода, контролируемой приложенным напряжением на затворе.
Транзистор имеет низкое значение тока утечки в закрытом состоянии (порядка фА), высокое отношение токов Ion/Ioff ~ 107 -108 и крутизну ВАХ порядка 95-120 мВольт на декаду. Транзисторы на основе алмаза являются перспективным направлением ввиду наилучшей теплопроводности, подвижности дырок, высокого поля пробоя (напряжения стока), высокой химической, радиационной стойкостью и возможностью функционировать при температурах свыше 700 C.
Источник информации: