Спиновый сигнал обратный знаку спиновой аккумуляции при комнатной температуре в устройстве на основе кремния, используя атомарно гладкий контакт Fe3Si/Si(111)
13.11.2013 В данной работе, используя трех-терминальный метод Ханле. Получен обратный спиновый сигнал при комнатной температуре в устройстве с туннельным барьером Шоттки Fe3Si/Si[111].
Авторами проведен теоретический расчет плотности состояний для первого слоя железа непосредственно прилегающего к интерфейсу, который показал, что преимущественная ориентация спинов электронов проводимости зависит от типа интерфейса Fe3Si/Si[111]. Привлекая методы просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, показано, что на поверхности эпитаксиально кремния Si[111] присутствуют атомные ступеньки, которые формируют разные типы интерфейсов. Для двух типов интерфейсов получены времена релаксации спинов инжектированных в кремний: 0,47 нс и 0,22 нс, это означает, что спин электрона сохраняется в полупроводнике на расстоянии до 670 нм и 420 нм.
Fujita et al. J. Appl. Phys. 113, 013916 (2013)